By Rudolf Müller
Aus den Besprechungen: ..". In diesem Sinne dient das vorliegende Buch einemdoppelten Zweck: Einmal soll es die Grundlagenkenntnisse vertiefen helfen, z.B. dadurch, da die Transistoren als typisches Beispiel eines Halbleiterbauelements beschrieben werden; nicht die technischen info stehen im Vordergrund, sondern die Begr}ndung der jeweiligen Beschreibung, so da der Leser in der F{higkeit ge}bt wird, sp{ter neue Bauelemente leichter zu verstehen. Zum anderen soll durch die auf das Wesentliche beschr{nkte Beschreibung der technisch interessanten Bauelemente der ]berblick }ber diese Vielfalt erleichtert werden. Das Lehrbuch richtet sich vorwiegend an Studenten und Absolventen von Ingenieur- und Technikerschulen. " #Elektrotechnik# ..". Das Buch beschreibt alle technisch interessanten Halbleiter-Bauelemente. Der Schwerpunkt liegt beim Prinzip ihres Aufbaus, der Wirkungsweise und den wesentlichen elektrischen Eigenschaften. In sechs Abschnitten sind alle Dioden - bis hin zu Laser-, Gunn- und LSA-Dioden - bipolare und Feldeffekt-Transistoren, Thyristoren, integrierte Schaltungen und spezielle Halbleiter-Bauelemente dargestellt. Das Buch ist sowohl Studenten wie auch Ingenieuren in der Praxis eine hilfreiche Informationsquelle." #Elektronik Industrie# Inhalts}bersicht:
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Die Prüfung elektrischer Maschinen
Das vorliegende Buch soll - aufbauend auf den klassischen Methoden der Meßtechnik an elektrischen Maschinen - eine zusammenfassende Behandlung der Prüfung elektrischer Maschinen geben. Im Vordergrund steht das Anliegen, dem Studenten der Energietechnik und dem Ingenieur in der Praxis diejenigen Informationen zu vermitteln, die notwendig sind, um eine Prüfung elektromechanischer Energiewandler und Transformatoren durchzuführen.
Messgeräte im Industriebetrieb
Dieser Buchtitel ist Teil des Digitalisierungsprojekts Springer booklet files mit Publikationen, die seit den Anfängen des Verlags von 1842 erschienen sind. Der Verlag stellt mit diesem Archiv Quellen für die historische wie auch die disziplingeschichtliche Forschung zur Verfügung, die jeweils im historischen Kontext betrachtet werden müssen.
- Handbuch Electronic Commerce: Kompendium zum elektronischen Handel
- Werkstoffkunde für die Elektrotechnik: für Studenten der Elektrotechnik und der Werkstoffwissenschaften ab 1. Semester
- Qualitätsregelung in der Fertigung
- Zur Berechnung des Kraft- und Arbeitsbedarfes beim Strangpressen
- Mathematik für die Fachschule Technik: Algebra, Geometrie, Differentialrechnung, Integralrechnung, Komplexe Rechnung
- Forschungsergebnisse über das Beizen von Blechen
Extra info for Bauelemente der Halbleiter-Elektronik
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Der Gesamtwirkungsgrad dieser Dioden liegt bei ca. 5% fUr Zimmertemperatur und bei ca. 40% fUr 20 K. Durch diese Formgebungen wird ·auch die raumliche Verteilung der emittierten Strahlung beeinfiuBt. 50 zeigt die Strahlungsdiagramme der drei Anordnungen nach den Abb. 48 und 49. 4 Milller, Halbleiter-Elektronik, Bd. II 49 GaAs-Lumineszenzdioden finden z. B. Anwendung in Lochstreifelllesern oder in optischen Relais. Hier wird eine Lumineszenzdiode durch Glas (zur Reduzierung von Reflexionsverlusten) mit einem Fototransistor verbunden, wodurch ein elektrisches Ausgangssignal in einem vom Eingang isolierten Stromkreis entsteht.
B. durch Lichteinstrahlung), um ihm den Austritt aus dem Festkorper zu ermoglichen. Solange das Elektron im Metall bzw. im Halbleiter ist, wird seine Ladung durch die ebenfalls vorhandenen Gitterbausteine neutralisiert. Wenn das Elektron aus dem Festkorper austritt, so hat es diese anziehenden elektrostatischen Krafte zu iiberwinden. Diese Trennungsenergie nennt man Austrittsarbeit. 32 zeigt links das Energieschema fur ein Metall mit der Austrittsarbeit erJ>M. Die Austrittsarbeit fUr Halbleiter ist analog definiert.
Die Trapatt-Diode wirkt also in erster Naherung als Schalter, bei dem entwedel' die Spannung sehr klein und del' Strom groB, oder die Spannung groB und der Strom klein ist. Dies ist prinzipiell del' einzige Betriebszustand in Halbleiterdioden, der einen hohen Wirkungsgrad erlaubt. x Abb. 65. Feldprofil in einer Trapatt-Diode • •• • 1O-1! - - - - - - ' - - - - - + - - l r - - 4 - - - I .. Impatt - Oioden o Trapott- Dioden • Gunn - Dioden 10- l L;;--------':-;-------",;---:----,I 100 10 1 10 1 GHz 10 3 f- Abb.